ВВЕРХ
   
? Правила поиска

Правила поиска

  • Минимальное количество символов для поиска - 3.
  • Для пропуска нескольких символов используйте символ звездочка (*).
  • Для пропуска одного символа используйте знак вопроса (?).
  • Разделители типа пробел автоматически удаляются.
  • Вы можете фильтровать позиции в результатах поиска по производителю.
  • Для этого необходимо ввести в графу искать в найдённом наименование производителя
  • например *maxim*

Пример:

  • поиск со строкой te ca?1?0*d20
  • выдаст TECAP 100/10V D 20, TECAP 150/10V D 20 и т.п.
 

 
      Фильтр по найденному:   
 
Результат поиска:

* При стоимости строки от $1000 Вы можете запросить специальную цену!


НаименованиеПроизводительЦена*Срок отгрузкиЗаказ
Даташит BAT54CWT1G

[дискретные полупроводники (диоды, транзисторы, тиристоры, мосты и пр.)] diode array schottky 30v sot323

ONS3.52
38  шт 8.81
632  шт 5.5
1263  шт 4.68
3000  шт 4.13
6000  шт 3.87
7800  шт 3.87
5 дней
 
Даташит BAT54CWT1G

[дискретные полупроводники (диоды, транзисторы, тиристоры, мосты и пр.)] diode array schottky 30v sot323

ONS4.55
3000  шт 4.69
10000  шт 4.55
15-16 нед.
 
Даташит BAT54CWT1G

[дискретные полупроводники (диоды, транзисторы, тиристоры, мосты и пр.)] diode array schottky 30v sot323

ONS8.01
13  шт 8.01
1-2 нед.
 
Даташит BAT54CWT1G

[дискретные полупроводники (диоды, транзисторы, тиристоры, мосты и пр.)] diode array schottky 30v sot323

ONS11.38
5  шт 37.21
10  шт 26
100  шт 11.62
500  шт 11.38
9-10 нед.
 
 LBAT54CWT1G

Leshan Radio1.12
1 нед.
 
 LBAT54CWT1G

LRC1.91
4 нед.
 
 LBAT54CWT1G

LRC2.30
4 нед.
 
 LBAT54CWT1G

LRC3.10
4 нед.
 
 LBAT54CWT1G

LRC4.81
4 нед.
 
 S-LBAT54CWT1G

LRC2.83
4 нед.
 
 S-LBAT54CWT1G

LRC3.82
4 нед.
 
 S-LBAT54CWT1G

LRC5.92
4 нед.
 
Даташит SBAT54CWT1G

[дискретные полупроводники (диоды, транзисторы, тиристоры, мосты и пр.)] diode array schottky 30v sot323

ONS16.97
30000  шт 16.97
15-16 нед.
 

* Цены указаны в рублях с учетом всех налогов.
 
Рейтинг@Mail.ru Rambler\'s Top100 Поиск электронных компонентов Поиск электронных компонентов